Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMTSC4D2N10GTXG
100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMTSC4D2N10GTXG
NTMTSC4D2N10GTXG Hakkında
NTMTSC4D2N10GTXG, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. 21A sürekli dren akımı (Ta), 4.2mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN (8.3x8.4mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve şarj uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate voltaj toleransı, 159nC gate charge ve geniş -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve mobil uygulamalara uygun performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 178A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 159 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10450 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W (Ta), 267W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 88A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TDFNW (8.3x8.4) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok