Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMTSC1D6N10MCT
NTMTSC1D6N10MCTXG Hakkında
NTMTSC1D6N10MCTXG, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı (Ta) kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ağır yükün anahtarlanması gereken endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 267A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7630 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.1W (Ta), 291W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TDFNW (8.3x8.4) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 650µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok