Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMTS1D6N10MCTXG
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMTS1D6N10MCTXG
NTMTS1D6N10MCTXG Hakkında
NTMTS1D6N10MCTXG, onsemi tarafından üretilen tek kanal N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 1.7mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 5W (Ta) / 291W (Tc) maksimum güç tüketimine sahiptir. ±20V Gate-Source gerilim ve 106nC Gate Charge karakteristikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 273A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7630 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 291W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFNW (8.3x8.4) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 650µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok