Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMT190N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMT190N65S3
NTMT190N65S3H Hakkında
NTMT190N65S3H, onsemi tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 650V drain-source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SuperFET teknolojisine dayanarak tasarlanan bu transistör, 190mΩ (10V, 8A) Rds(on) değeri ile düşük kayıp işletim sağlar. 31nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, AC-DC power supplies, motor kontrol, DC-DC converters ve ağır indüktif yüklerin anahtarlanmasında tercih edilir. 4-PowerTSFN (8x8) SMD paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 129W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-TDFN (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok