Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMSD6N303R2SG
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2SG Hakkında
NTMSD6N303R2SG, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 6A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. Schottky diyot entegrasyonu ve izole yapısı sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 2.5V eşik gerilimi (Vgs(th)) ile logic seviyesi kontrol uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Motor sürücüleri, güç anahtarlaması, LED kontrolü ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen obsolete durumda olup, stok tükenmesine kadar temin edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 24 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok