Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMSD6N303R
NTMSD6N303R2G Hakkında
NTMSD6N303R2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Entegre Schottky diyot içeren tasarımı ile anahtarlama uygulamalarında hızlı diyot geri kazanım süresi sağlar. 32mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük güç kayıpları sunur. 8-pin SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarında kullanılabilir. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri, anahtarlamali güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanımı mümkündür. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 24 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok