Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMSD6N303R2

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMSD6N303R2

NTMSD6N303R2 Hakkında

NTMSD6N303R2, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında sürekli 6A akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. İzole Schottky diyot yapısı içeren bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 8-SOIC Surface Mount paket içinde sunulur. Bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 24 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok