Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMSD3P303R2G
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMSD3P303R2
NTMSD3P303R2G Hakkında
NTMSD3P303R2G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 2.34A sürekli dren akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 85mOhm Rds(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Dahili Schottky diyota sahip olan NTMSD3P303R2G, motor kontrol, güç yönetimi devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 730mW güç tüketimi ile belirtilmiştir. Part status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.34A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 24 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.05A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok