Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMSD3P102R2SG
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMSD3P102R2
NTMSD3P102R2SG Hakkında
NTMSD3P102R2SG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Vdss ile 2.34A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8-SOIC SMD paketinde sunulmaktadır. Maksimum 85mOhm On-State Direnci (10V Vgs) ile düşük kayıpla anahtarlama uygulamaları gerçekleştirir. İzole Schottky diyot içeren bu FET, güç yönetimi devrelerinde, batarya koruma sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25nC gate charge ve 750pF input capacitance değerleriyle hızlı geçiş karakteristiği sunar. Maksimum 730mW güç tüketim kapasitesi ile enerji-etkin tasarımlara uygun bir transistördür. Not: Bu parça üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.34A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.05A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok