Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMSD3P102R2G
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMSD3P102R2
NTMSD3P102R2G Hakkında
NTMSD3P102R2G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V Vdss ile çalışan bu bileşen, 2.34A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 85mOhm maksimum açık durum direncine (10V Vgs'te) sahiptir. Schottky diyot izolasyonu ile donatılmış olan transistör, 8-pin SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen NTMSD3P102R2G, 730mW maksimum güç tüketimi ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve düşük voltaj kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Düşük kapı yükü (25nC @ 10V) ve 750pF giriş kapasitansi sayesinde hızlı komütasyon özelliği sunar. Part status itibariyle üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.34A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.05A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok