Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMSD3P102R2
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMSD3P102R2
NTMSD3P102R2 Hakkında
NTMSD3P102R2, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 2.34A maksimum drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük sinyalli kontrol devrelerinde yer alır. 85mΩ Rds(on) değeri ile veri sabitlemesi ve enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Schottky diyot izole özelliği sayesinde kapasitif yüklü uygulamalarda koruma sunar. Komponentin Part Status'u Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.34A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.05A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok