Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMSD2P102R2SG
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMSD2P102R2
NTMSD2P102R2SG Hakkında
NTMSD2P102R2SG, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 90mOhm düşük RDS(on) direncine sahiptir. Entegre Schottky diyot özelliği sayesinde anahtarlama uygulamalarında hızlı komütasyon sağlar. Güç yönetimi, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC konvertörleri gibi anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge değeri (18nC @ 4.5V) ve 750pF input kapasitesi, hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok