Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMSD2P102LR2G

MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMSD2P102

NTMSD2P102LR2G Hakkında

NTMSD2P102LR2G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 2.3A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey monte paket içinde gelmektedir. 4.5V gate voltajında 90mΩ maksimum on-direnci ile düşük iletim kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot özelliği sayesinde anahtarlama uygulamalarında hız ve verimlilik artışı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlama regülatörü gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 710mW güç tüketimi ve düşük kapasitans değerleri ile kompakt tasarımlar için uygundur. Not: Bu ürün life-cycle olarak Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok