Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMSD2P102LR2

MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMSD2P102

NTMSD2P102LR2 Hakkında

NTMSD2P102LR2, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi, 2.3A maksimum sürekli dren akımı ve 90mOhm (4.5V, 2.4A koşullarında) üstün düşük RDS(on) değerine sahiptir. Entegre Schottky diyot sayesinde anahtarlama uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlı güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük geçiş direnci ve kompakt tasarımı dengan enerji verimliliği gerektiren devreler için uygun kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok