Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS5P02R2SG
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS5P02R2SG
NTMS5P02R2SG Hakkında
NTMS5P02R2SG, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.95A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate-source geriliminde 33mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 35nC (4.5V) olup, düşük kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi çeşitli elektronik uygulamalarda kullanılır. Maksimum 790mW güç dağılımı kapasitesiyle sınırlı alanlarda efektif termal performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.95A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 790mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok