Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS5835NLR2G

MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS5835

NTMS5835NLR2G Hakkında

NTMS5835NLR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 9.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 8-SOIC yüzeye monte paket tipinde sunulan bu bileşen, 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Düşük gate charge karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, load switch uygulamaları ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Not: Bu ürün obsolete (üretim dışı) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2115 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok