Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4P01R2

MOSFET P-CH 12V 3.4A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4P01R2

NTMS4P01R2 Hakkında

NTMS4P01R2, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 8SOIC yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 45mΩ (4.5V, 4.5A'de) maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve gerilim düzenleme sistemlerinde kullanılmaktadır. 35nC gate charge ve 1850pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 9.6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 790mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok