Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS4N01R2G
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS4N01R
NTMS4N01R2G Hakkında
NTMS4N01R2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimliliği artırır. Surface mount 8-SOIC paketinde gelmekte olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve genel amaçlı kontrol devrelerine uygun bir transistördür. 16nC gate charge ve 1200pF input capacitance değerleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 770mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok