Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS4935NR2G
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS4935
NTMS4935NR2G Hakkında
NTMS4935NR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ile 10A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-dirençi (5.1mOhm @ 10V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC SMD paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 52.1nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve düşük voltaj anahtarlama devreleri için uygundur. Maksimum 810mW güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3639 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 810mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok