Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4920NR2G

MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4920NR

NTMS4920NR2G Hakkında

NTMS4920NR2G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajına ve 10.6A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, 4.3mΩ'luk düşük RDS(on) değeriyle güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. ±20V gate voltaj aralığı ve 58.9nC gate yükü, hızlı anahtarlama özelliği sunar. Şarj denetleyicileri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Last Time Buy durumunda olması nedeniyle, yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin dikkate alınması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4068 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 820mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok