Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4917NR2G

MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4917

NTMS4917NR2G Hakkında

NTMS4917NR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8-SOIC yüzey montajlı paket türünde sunulmaktadır. 11mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında görev yapabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. 880mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1054 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 880mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok