Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4916NR2G

MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4916

NTMS4916NR2G Hakkında

NTMS4916NR2G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 7.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 9mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Gate charge 15nC @ 4.5V ve giriş kapasitansi 1376pF @ 25V olarak belirtilmiştir. Maksimum 20V gate-source gerilimini tolere eder. Parça durumu kullanımdan kaldırılmış (obsolete) olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1376 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 890mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok