Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS4807NR2G
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS4807
NTMS4807NR2G Hakkında
NTMS4807NR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 9.1A sürekli drenaj akımı ile şekillendirilen bu bileşen, 6.1mOhm on-state direnç (10V gate gerilimi, 14.8A drain akımında) sunmaktadır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sağlanan transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu MOSFET, düşük gate şarj (24nC @ 4.5V) karakteristiği ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. Maksimum 860mW güç tüketimi kapasitesi bulunan bileşen, endüstriyel kontrol, otoomotiv ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 24 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 14.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok