Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4802NR2G

MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4802NR

NTMS4802NR2G Hakkında

NTMS4802NR2G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 11.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket tipinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 910mW maksimum güç tüketimi ile verimli tasarımlar için uygundur. Part Status olarak Last Time Buy olarak listelenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok