Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS4800NR2G
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS4800N
NTMS4800NR2G Hakkında
NTMS4800NR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 4.9A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu FET, 10V gate voltajında 20mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 750mW güç tüketim kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Düşük gate charge (7.7nC) ve input capacitance (940pF) değerleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok