Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS4706NR2G
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS4706NR
NTMS4706NR2G Hakkında
NTMS4706NR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 6.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 12mOhm (10V, 10.3A) düşük RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Surface mount 8-SOIC paket formatında sunulan komponent, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 15nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarı uygulamaları ve gömülü sistem tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Komponent obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 24 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok