Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4705NR2G

MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4705N

NTMS4705NR2G Hakkında

NTMS4705NR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V Drain-Source gerilimi ve 7.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 10mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 850mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Düşük gate charge değeri (18nC @ 4.5V) ile hızlı komutasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1078 pF @ 24 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 850mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok