Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4700NR2G

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4700N

NTMS4700NR2G Hakkında

NTMS4700NR2G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 8.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, düşük 7.2mOhm on-state direnç değeri ile güç elektronik uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 24nC olup, hızlı komutasyon gerektiren devrelerde kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Maksimum 860mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, yük anahtarlaması ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürünün durumu kullanımdan kaldırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 24 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok