Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4503NR2G

MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4503

NTMS4503NR2G Hakkında

NTMS4503NR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 28V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 8mΩ on-resistance değerine sahiptir. Düşük gate charge (23nC @ 4.5V) ve düşük input capacitance (2400pF @ 16V) özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Geniş işletim sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtar modlu güç kaynakları tasarımlarında tercih edilir. Maksimum 930mW güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 28 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok