Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4177PR2G

MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4177

NTMS4177PR2G Hakkında

NTMS4177PR2G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 6.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 12mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve gerilim regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 55nC gate yükü ve 3100pF giriş kapasitanası ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 24 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 840mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11.4A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok