Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS4176PR2G

MOSFET P-CH 30V 5.5A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS4176

NTMS4176PR2G Hakkında

NTMS4176PR2G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ve 5.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile entegre edilir. 10V gate-source voltajında 18mOhm düşük on-direnci (RDS(on)) sağlayarak enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, yük kontrolü ve röle sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 17nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1720 pF @ 24 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 810mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok