Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS4107NR2G
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS4107
NTMS4107NR2G Hakkında
NTMS4107NR2G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 11A sürekli drain akımına sahiptir. 8-SOIC yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 4.5mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 45nC (4.5V) olarak ölçülmüştür. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 930mW güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Vgs threshold voltajı 250µA'de 2.5V civarındadır. Not: Bu ürün yaşatılmayan (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 930mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok