Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS3P03R2G
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS3P03R2G
NTMS3P03R2G Hakkında
NTMS3P03R2G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 2.34A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken bileşendir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 85mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 730mW maksimum güç tüketimi kapasitesi ile enerji verimli tasarımlara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.34A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 24 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.05A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok