Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMS10P02R2
NTMS10P02R2G Hakkında
NTMS10P02R2G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 8.8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 14mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olup, 1.6W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, LED kontrolü ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 70nC gate charge ve 3640pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3640 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok