Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMS10P02R2

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMS10P02R2

NTMS10P02R2 Hakkında

NTMS10P02R2, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 8.8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 14mOhm Rds(on) değeri ile düşük direnç özelliği sunar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sağlanan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.6W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3640 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok