Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFSC4D2N10MC

MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFSC4D2N

NTMFSC4D2N10MC Hakkında

NTMFSC4D2N10MC, onsemi tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış olup, 29.6A sürekli (Ta) ve 116A soğutuculu (Tc) drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.3mΩ düşük on-resistance (Rds) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 8-PowerVDFN yüksek ısıl iletkenlikli pakette sunulan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve switching uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar. 42nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2856 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 44A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6.15)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok