Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS7D8N10GTWG

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS7D8N10GT

NTMFS7D8N10GTWG Hakkında

NTMFS7D8N10GTWG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim yeteneğine sahip olan bu bileşen, 14A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ve maksimum 187W güç dağıtımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 7.6mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 10V kapı gerilimi ile çalışan bu MOSFET, 92nC gate charge karakteristiğine ve -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Surface Mount 8-PowerTDFN paketi ile entegre edilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6180 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 48A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 254µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok