Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS6H848NLT1G

MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS6H848NL

NTMFS6H848NLT1G Hakkında

NTMFS6H848NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ile 13A sürekli ve 59A ısıl kontrollü drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 5-DFN paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 25nC gate charge ve 1420pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok