Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS6H818NT1G

MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS6H818NT

NTMFS6H818NT1G Hakkında

NTMFS6H818NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 5DFN paket tipi ile surface mount uygulamalar için tasarlanmıştır. 3.7mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük açılış direncine sahip olup, güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 46nC gate charge ve 3100pF input kapasitans karakteristikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 123A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok