Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS6H818NLT1G

MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS6H818N

NTMFS6H818NLT1G Hakkında

NTMFS6H818NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltajı ve 22A sürekli drenaj akımı (25°C) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5x6 DFN paket türü ile surface mount uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 3.2mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve yük anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 64nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 135A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3844 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 190µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok