Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS6H800NT1G
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS6H800NT1G
NTMFS6H800NT1G Hakkında
NTMFS6H800NT1G, onsemi tarafından üretilen 80V N-channel MOSFET transistördür. 5DFN paket içerisinde 5 bacağa sahip bu bileşen, 28A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ve 203A (Tc) kapasitesine sahiptir. 2.1mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir performans sunar. 85nC gate charge ve 5530pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir. 3.8W (Ta) ve 200W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel seviye uygulamalara uygun tasarımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 203A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5530 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 330µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok