Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS6B14NT1G

MOSFET N-CH 100V 10A/50A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G Hakkında

NTMFS6B14NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 50A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5DFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan cihaz, 15mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç dönüştürme uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 20nC gate charge ve 1300pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon için uygun tasarım sağlar. Maksimum ±20V gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunmaktadır. Not: Bu bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok