Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS6B03NT3G
MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS6B03NT
NTMFS6B03NT3G Hakkında
NTMFS6B03NT3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarına dayanıklıdır. 25°C'de 19A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5x6 mm boyutundaki 5-DFN (PowerTDFN) SMD paketinde sunulur. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 10V'da 58nC olup hızlı anahtarlama özelliği gösterir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, DC-DC konverterler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 132A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.4W (Ta), 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok