Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS6B03NT1G

MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS6B03NT

NTMFS6B03NT1G Hakkında

NTMFS6B03NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 25°C'de 19A sürekli dren akımı sağlar. 5DFN paket tipinde sunulan komponentin 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Güç dönüştürme devreleri, motorun sürücü uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6V/10V sürücü gerilimi ile uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 132A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.4W (Ta), 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok