Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS5H600NLT1G

MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS5H600N

NTMFS5H600NLT1G Hakkında

NTMFS5H600NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 35A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, 5x6mm PowerTDFN paketinde sunulmaktadır. 1.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanım için uygundur. ±20V gate gerilim toleransı ile geniş uygulanabilirlik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta), 250A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6680 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok