Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTMFS5H419NLT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTMFS5H419NL
NTMFS5H419NLT1G Hakkında
NTMFS5H419NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 29A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 2.1mΩ maksimum drain-source direnci (10V kapı voltajında, 20A akımda) ile düşük iletim kayıpları sunar. 5DFN (8-PowerTDFN) yüzey montajlı paket kullanılarak kompakt devre tasarımlarına entegre edilebilir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 45nC kapı yükü ile düşük sürüş gücü gerektirir ve 3.1W (Ta) güç tüketiminde tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 155A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok