Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS5C646NT1G

MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS5C646N

NTMFS5C646NT1G Hakkında

NTMFS5C646NT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı (25°C'de) kapasitesine sahiptir. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN 5 bacaklı yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C) ve 79W güç disipasyon kapasitesi (Tc) ile güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma ortamı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 93A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 80µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok