Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4H02NT1G

MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4H02NT1G

NTMFS4H02NT1G Hakkında

NTMFS4H02NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj kapasitesi ile 37A sürekli drenaj akımı (Ta @25°C) veya 193A (Tc @25°C) sağlar. 1.4mOhm düşük RDS(on) değeri ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile güç uygulamalarında verimli operasyon sunar. 5DFN (5x6) yüzey monte paketinde sunulan bu MOSFET, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, güç dağıtım modülleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 83W güç dissipasyonu (Tc) kapasitesi ile termal yönetimi gerektiren endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Ta), 193A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2651 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok