Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4H02NFT3G

MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4H02N

NTMFS4H02NFT3G Hakkında

NTMFS4H02NFT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi (Vdss) ile 37A sürekli dren akımı (Ta'da) sağlayabilir. 5DFN (8-SOFL) paketinde sunulan bu bileşen, 1.4mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sunar. 10V gate geriliminde çalışır ve 2.1V eşik gerilimi (Vgs(th)) ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount tipi paketlemesi kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Ta), 193A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2652 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok