Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTMFS4H01NFT1G

MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFS4H01N

NTMFS4H01NFT1G Hakkında

NTMFS4H01NFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilim derecesinde, 54A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 334A akımı (Tc) ile çalışmaktadır. 0.7mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. 5DFN (8-PowerTDFN) paket tipi ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 125W güç tüketim kapasitesi (Tc) ve 150°C çalışma sıcaklığı ile güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel elektrik sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Ta), 334A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5538 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok